セレノガレート

セレノガレート（またはセレニドガレート）は、ガリウムに結合したセレンの陰イオンユニットを含む化合物です。これらは、セレンが酸素を置換したガレート化合物と考えられます。類似化合物には、チオガレート化合物やセレノスズネート化合物があります。これらはカルコゲノトリレート化合物、より広義にはカルコゲノメタレート化合物に分類されます。[1]

形成

セレノガレートは、金属アジドをガリウムモノセレンとセレンとともに密閉管内で加熱することによって生成されます。[1]

Se 2ユニットを含むセレノガレートは、セレンとの加熱によって生成されます。逆に、加熱によって余分なセレン蒸気が失われ、セレン含有量の少ない化合物が形成されることもあります。[2]

プロパティ

セレノガレートのほとんどは半導体です。光にさらされると抵抗が低下します。また、セレノガレートは着色している​​ことが多く、その多くは赤色です。

セレノガレートの構造には、四員環 [ GaSeGaSe ] や五員環 [ GaSeSeGaSe ] などの環が含まれることがあります。これらは鎖状に連結することができます。

使用

セレノガレートは主に研究対象であり、20%を超える効率が可能な太陽電池[3]、光伝導体、非線形光学デバイスへの応用が研究されています。

リスト

名前化学ム結晶系空間群単位格子Å音量密度コメントCAS

いいえ

参照
リガセ2234.581斜方晶系Pna 2 1a=6.8478 b=8.2575 c=6.5521 Z=4370.54.206バンドギャップ 3.39; SHG[4]
[H 2 DAP] 4 Ga 4 Se 10 DAP = 1,2-ジアミノプロパン単斜晶系C 2/ ca 10.821 b 10.820 c 21.386、 β 97.265°[5]
[(ジエンH 2 )(ジエンH) 3 ]Ga 5 Se 10ジエン =ジエチレントリアミン単斜晶系P 2 1 / ca 6.3116 b 13.748 c 47.890 β 90.640°鎖[6]
[(tetaH 2 ) 3 (teta)]Ga 6 Se 12 teta =トリエチレンテトラミン単斜晶系CCa 20.566 b 25.896 c 12.785 β 125.568°鎖[6]
[bappH2][Ga 2 Se 4 ] bapp =1,4-ビス-(3-アミノプロピル)ピペラジン657.63三斜晶系P1​a=6.3517 b=7.8498 c=10.7818 α=71.457° β=84.925° γ=72.084° Z=1484.932.30黄色;[7]
[1,3-pdaH 2 ][Ga 2 Se 2 (Se 2 )(Se 3 )] 1,3-pda = 1,3-ジアミノプロパン単斜晶系P 2 1a 7.5724 b 12.3856 c 8.0889 β 94.120°バンドギャップ 2.08 eV; GaSeSeSeGaSe & GaSeSeGaSe リング; 赤[8]
[1,4-bdaH 2 ][Ga 2 Se 3 (Se 2 )] 1,4-bda = 1,4-ジアミノブタン単斜晶系C 2/ ca 11.7660 b 11.7743 c 10.9763 β 110.170°バンドギャップ 2.32 eV; オレンジ[8]
[Me 2 NH 2 ] 2 [Ga 2 Se 2 (Se 2 ) 2 ]単斜晶系P 2 1 / ca 14.13 b 8.456 c 14.07 β 100.32°バンドギャップ 2.07 eV; 赤[8]
α-[AEPH] 2 [Ga 2 Se 2 (Se 2 ) 2 ] AEP = N- (2-アミノエチル)ピペラジン単斜晶系Pna 6.981 b 15.436 c 11.831 β 91.462°バンドギャップ 1.93 eV; 赤[8]
β-[AEPH] 2 [Ga 2 Se 2 (Se 2 ) 2 ]単斜晶系P 2 1 / ca 10.623 b 16.495 c 7.163 β 94.93°バンドギャップ 2.10 eV; 赤[8]
[Ga(en) 3 ][Ga 3 Se 7 (en)] · H 2 O1090.02斜方晶系Pna 2 1a=14.279 b=9.616 c=19.676 Z=42701.62.680二環式Ga 3 Se 7[9]
ナトリウムガス2単斜晶系C 2/ ca 10.226 b 10.227 c 13.506 β 100.926°1389.9[10]
NaGaS 2 •H 2 O単斜晶系C 2/ ca=9.5160 b=113986 c=17.8761 β= 101.5901899[10]
ナガ3セ5626.95斜方晶系P 2 1 2 1 2 1a =9.764 b =13.624 c =27.000 Z=163591.64.638[11]
KGaSe 2266.74単斜晶系C 2/ ca = 10.878、b = 10.872、c = 15.380、β = 100.18° Z=161790.33.959空気中で安定; 淡黄色; mp=965 °C; [Ga 4 Se 10 ] 8−ユニットがシート状に結合;バンドギャップ2.60 eV[12]
Cr 2.37 Ga 3 Se 8単斜晶系C 2/ m磁性半導体; バンドギャップ 0.26 eV[13]
マンガンガ2セレン4バンドギャップ 2.7 eV[14]
[Mn(en)3][Ga2Se5] en =エチレンジアミン771.51斜方晶系Pbcna=9.772 b=15.297 c=13.749 Z=42055.22.50赤; {[Ga 2 Se 5 ] 2- }∞ 鎖 Ga 2 Se 2および Ga 2 Se 3環[7]
[Mn(dap) 3 ] 0.5 GaSe 2斜方晶系センチセンチa 9.645 b 16.754 c 12.891[5]
[Mn(atep)]Ga 2 S 4 atep = 4-(2-アミノエチル)トリエチレンテトラミン単斜晶系P 2 1 /na 9.909 b 11.947 c 14.831、β 102.268°[5]
[Co(en) 3 ]Ga 2 Se斜方晶系センチセンチa 9.692 b 15.631 c 12.698バンドギャップ 3.27 eV[6]
{[Ni(tepa)] 2 SO 4 }[Ni(tepa)(Ga 4 S 6 (SH) 4 )] tepa =テトラエチレンペンタアミン単斜晶系C 2/ ca 38.829 b 12.290 c 22.471 β 98.398°[5]
セレノ没食子酸銅CuGaSe 2291.186正方晶系a = 5.5963 c = 11.0036 Z=4344.6175.612メタリックグレー[15]
ZnGa 2 Se 4正方晶系I 4 2メートル[16]
ZnGa 2 Se 4キュービック女性3メートル​>15.5GPa[16]
Na 3 Zn 2 Ga 2 Se 4519.90正方晶系I 4 1アクa 13.481 c 19.26 Z=1635003.946赤[17]
Na 6 Zn 3 Ga 2 Se 9単斜晶系C 2/ ca 16.71 b 16.69 c 13.79 β 101.346°[18]
KZn 4 Ga 5 Se 12R3​SHG[19]
リガゲ2 Se 6695.60斜方晶系Fdd 2a 12.5035 b 23.710 c 7.11772110.14.336茶色；バンドギャップ 2.64 eV；融点=710 °C[20] [21]
Li 2 Ga 2 GeS 6斜方晶系Fdd 2a =12.0796 b =22.73 c =6.84048[22]
NaGaGe 3 Se 8単斜晶系P 2 1 / ca 7.233 b 11.889 c 17.550 β 101.75°[23]
KGaGeSe 4497.25単斜晶系P 2 1 / ca=7.3552 b=12.4151 c=17.6213 β =97.026 Z=81597.024.136黄色[24]
RbGaSe 2313.11単斜晶系C 2/ ca = 10.954、b = 10.949、c = 16.064、β = 99.841° Z=161898.24.382無色; mp=930 °C; ∞ 2 [Ga 4 Se 8 8− ] 層の超四面体;[1]
RbZn 4 Ga 5 Se 12R3​SHG[19]
RbGaGeSe 4543.62斜方晶系プンマa=17.5750 b=7.4718 c=12.4449 Z=81634.234.419オレンジ[24]
AgGaSe 2正方晶系私4 2日a = 5.9921、c = 10.8835.710.71～18μmで透明; バンドギャップ約1.7[25]
AgGa 5 Se 8P 4 2メートルa=5.50 c=11.04バンドギャップ 2.1 eV[25]
Ag 9 GaSe 6P 2 1 3バンドギャップ 0.56 eV[25]
Ag 9 GaSe 6キュービックF 4 3メートルa=11.126[25]
Li x Ag 1– x GaSe 2（x = 0.2–0.8）正方晶系私4 2日SHG[4]
ナトリウム0.45銀0.55ガリウム3セレン5三角R32​a=13.466 c=16.495 Z=122590.5SHG 1.9 × AGS[26]
KAg 3 Ga 8 Se 142025.91単斜晶系Cma 12.8805 b 11.6857 c 9.6600 β 115.998° Z=21306.875.148オレンジ[27]
アガゲ5セ12赤色；0.6～16.5 μmで透明；バンドギャップ2.2 eV[28]
CdGa2Se4​​​正方晶系私4a=5.3167 c =10.2858 Z=2半導体[29] [30]
CdGa2Se4​​​キュービックF 43メートルa =5.64 Z=4>21 GPa 金属[30]
CdGa2Se4​​​キュービック女性3メートル​a =5.03 Z=44～7.4 GPa[30]
KCd 4 Ga 5 Se 12三角R3​a 14.362 b 14.362 c 9.724[31]
RbCd 4 Ga 5 Se 12三角R3​a 14.4055 b 14.4055 c 9.7688バンドギャップ 2.19 eV。 SHG=19× AgGaS2[32] [31]
インガセ2正方晶系I 4/ mcma = 8.051、c = 6.317、Z=4[33]
スンガ4セ7622.08単斜晶系パソコンa=7.269 b=6.361 c=12.408 β =106.556 Z=2549.93.757淡黄色;SHG 3.8 × AgGaS 2[34]
KGaSnSe 4 - cP 84543.35キュービックパ3a=13.5555 Z=122490.84.347赤[24]
RbGaSnSe 4 - cP 84キュービックパ3a=13.7200 Z=12589.724.550[24]
RbGaSn 2 Se 6866.33三角R3​a=10.4697 c=9.476 Z=3899.54.798深紅[35]
SnGa 2 GeSe 6804.48斜方晶系Fdd 2a = 47.195、b = 7.521、c = 12.183、Z = 1643244.943赤; SHG 1.7 × AgGaS 2
CsGaSe 2 - m C64単斜晶系C 2/ ca = 11.043、b = 11.015、c = 16.810、β = 99.49°、Z = 162016年7月ライトグレー；超四面体∞ 2 [Ga 4 Se 8 4– ] の層；バンドギャップ 3.5 eV[36]
CsGaSe 2 - mC 16単斜晶系C 2/ ca = 7.651、b = 12.552、c = 6.170、β = 113.62°、Z = 4542.9610℃以上; 鎖∞ 1 [GaSe 2 – ][36]
セシウムガセドロン3単斜晶系P 2 1 /ca =7.727、b =13.014、c =6.705、β =106.39°、Z =4赤; 鎖; バンドギャップ 2.25 eV[37]
セシウム2ガリウム2セシウム5800.07単斜晶系C 2/ ca = 15.3911、b = 7.3577、c = 12.9219、β = 126.395°、 Z = 41177.894.51黄色; ∞ 1 [Ga 2 Se 3 (Se 2 ) 2– ] バンドギャップ 1.95 eV[38]
セシウム4ガリウム6セシウム11三斜晶系P1​a=9.707 b=9.888 c=16.780 α=76.425° β=77.076° γ=60.876°1356.3∞ 1 [Ga6Se 11 ] 4–[39]
Cs 6 Ga 2 Se 6単斜晶系P 2 1 / ca=8.480 b=13.644 c=11.115 β =126.22 Z=2mp=685 °C; 孤立した二重四面体 [Ga 2 Se 6 ] 6−[40]
セシウム8ガリウム4セシウム10三斜晶系P1​a= 7.870 b=9.420 c=11.282 α=103.84° β=93.43° γ=80.88° Z=14.42四量体[41]
Cs 10 Ga 6 Se 14単斜晶系C 2/ ma=18.233 b=12.889 c=9.668 β=108.20 Z=24.39六量体[41]
(Cs 6 Cl) 6 Cs 3 [Ga 53 Se 96 ]16671.51三角R 3メートルa = 11.990、c = 50.012 Z=16226.54.446黄色; バンドギャップ 2.74 eV[42]
セシウム4ガリウム5セシウム12三角R3​[19]
CsGaGeSe 4591.06斜方晶系プンマa=17.7666 b=7.5171 c=12.6383 Z=81687.94.652白[24]
Cs 2 Ge 3 Ga 6 Se 142007.41P 3 m 1a=7.6396 c=13.5866 Z=1686.724.854黒[43]
CsAgGa 2 Se 4単斜晶系P 2 1 / ca =11.225、b =7.944、c =21.303、β =103.10、Z =81850.3層状[44]
CsCd 4 Ga 5 Se 12三角R3​a 14.4204 b 14.4204 c 9.7803バンドギャップ 2.21 eV。 SHG=16× AgGaS2[32] [31]
バガ4セ7単斜晶系パソコンa = 7.625、b = 6.511、c = 14.702、β = 121.24°0.47～18.0 μmで透明; 968 °Cで融解; SHG[45] [46]
バリウム4ガリウム2セレン8132.48単斜晶系P 2 1 / ca=13.2393 b=6.4305 c=20.6432 β =104.3148 Z=41702.905.151黒色空気安定; バンドギャップ 1.51 eV[47] [48]
バチルス5ガリウム2セリン8斜方晶系Cmcaa 23.433 b 12.461 c 12.214バンドギャップ 2.51 eV[49]
バ5ガ4セ101755.18正方晶系I4 / mcma = 8.752、c = 13.971 、Z = 21070.25.447赤色；Ga-Ga架橋を有する二環式環；バンドギャップ2.20 eV[50]
Ba 3 GaSe 4 Cl斜方晶系プンマa 12.691 b 9.870 c 8.716[51]
Ba 3 GaSe 4 Br斜方晶系プンマa = 12.8248、b = 9.9608、c = 8.7690 、 Z = 4バンドギャップ 1.7 eV[52]
リバ4ガ5セ121852.42正方晶系P 4 2 1 ca 13.591 c 6.515 Z=21203.35.113黄色; バンドギャップ 2.44 eV; SHG 1.7×AgGaS 2[32] [53]
ナバガセ3斜方晶系プンマa 20.46 b 9.177 c 7.1771347無色[54]
(Na 0.60 Ba 0.70 )Ga 2 Se 4正方晶系1 4 cma 7.9549 c 6.2836397.64.725淡黄色[55]
KBa 3 Ga 5 Se 10 Cl 2正方晶系私4a 8.6341 c 15.6441166.2バンドギャップ 2.04 eV。 SHG=10× AgGaS2[32] [56]
MnBa 4 Ga 4 Se 10 Cl 2正方晶系私48.5858 15.7739​バンドギャップ 2.8 eV。 SHG=30× AgGaS2[32] [57]
FeBa4Ga4Se10Cl2​​​​​​​正方晶系私48.578 15.717​​バンドギャップ 1.88 eV[32] [57]
CoBa 4 Ga 4 Se 10 Cl 2正方晶系私48.572 15.716​​バンドギャップ 2.02 eV[32] [57]
Cu 0.5 Ba 4 Ga 4.5 Se 10 Cl 2正方晶系私48.559 15.778​​バンドギャップ 2.6 eV。 SHG=39× AgGaS2[32] [57]
キューバ4ガ5セ12P 42 1カップa = 13.598、c = 6.527、Z = 2バンドギャップ 1.45 eV。 SHG=3× AgGaS2[32] [58]
ZnBa 4 Ga 4 Se 10 Cl 2正方晶系私48.561 15.757​​バンドギャップ 3.08 eV。 SHG=59× AgGaS2[32] [57]
Ba 10 Zn 7 Ga 6 Se 26正方晶系I 4 2メートルa 11.2907 c 21.760 Z=22774.05.151黄色[59]
バリウム4ガリウム4ゲセレン121848.35正方晶系P 4 2 1 ca=13.5468 c=6.4915 Z=21191.295.153オレンジイエロー; バンドギャップ 2.18 eV[47] [60]
バガ2ゲセ6R3​[61]
RbBa 3 Ga 5 Se 10 Cl 2正方晶系私4a 8.6629 c 15.6379バンドギャップ 2.05 eV。 SHG=20× AgGaS2[32] [56]
バ2ゲイセ5三斜晶系P1​a 7.2876Å b 8.6597Å c 9.3876Å、α 103.51° β 103.04° γ 107.43°[62]
Ba 4 AgGaSe 61199.44斜方晶系プンマa=9.1006 b=4.472 c=17.7572 Z=2722.715.512暗赤色；空気安定；バンドギャップ 2.50[63]
Ba 4 AgGa 5 Se 121953.35正方晶系P 4 2 1 ca 13.6544 c 6.5215 Z=21215.95.335黄色[53]
Ba 7 AgGa 5 Se 15三角P 31世紀a 10.0467 c 18.689バンドギャップ 2.60 eV[64]
CdBa 4 Ga 4 Se 10 Cl 2正方晶系私48.611 c 15.805​バンドギャップ 3.05 eV。 SHG=52× AgGaS2[32] [57]
Ba 5 CdGa 6 Se 122401.82斜方晶系アマ2a=24.2458 b=19.1582 c=6.6208 Z=43075.45.187黄色；空気安定；バンドギャップ 2.60 eV；mp=866 °C[47] [65]
バガ2 SnSe 6869.23三角R3​a = 10.145、c = 9.249 、Z = 3824.45.253赤; SHG 5.2×AgGaS 2[66]
Ba4Ga4SnSe12​​​​​1894.45正方晶系P 4 2 1 ca 13.607 c 6.509 Z=21205.25.221赤; バンドギャップ 2.16 eV[67]
Ba6Ga2SnSe11​​​​​1950.73単斜晶系P 2 1 / ca 18.715 b 7.109 c 19.165、β 103.29°2481.55.221赤; 不良ギャップ 1.99 eV[67]
Ba 2 AsGaSe 5814.12斜方晶系プンマa = 12.632、b = 8.973、c = 9.203、Z = 41043.15.184黒[68]
CsBa 3 Ga 5 Se 10 Cl 2正方晶系私48.734 15.697​​1197.6バンドギャップ 2.08 eV。 SHG=100× AgGaS2[32] [56]
ナラガ4セ8斜方晶系ファッドa 21.1979 b 21.1625 c 12.7216[69]
La 3 MnGaSe 71094.11六角P 6 3a 10.5894 c 6.3458 Z=2616.255.896黒[70]
La 3 FeGaSe 7六角P 6 3a=10.5042 c=6.3496606.74[71]
La 3 CoGaSe 7六角P 6 3a=10.5104 c=6.3708609.48[71]
La 3 NiGaSe 7六角P 6 3a=10.4826 c=6.3964608.71[71]
La 3 CuGaSe 71102.71六角P 6 3a=10.626 c=6.392 Z=2626.05.859[47]
La 3 ZnGaSe 71104.54六角P 6 3a=10.630 c=6.374 Z=2623.75.881[47]
La 3 Ag 0.6 GaSe 7六角P 6 3a =10.6、c =6.4、Z=2[72]
La 3 CdGaSe 7六角P 6 3a=10.606 c=6.380 Z=2621.56.153[47]
Ba 2ガラセ5斜方晶系プンマa 12.5049 b 9.6288 c 8.7355[73]
ナセガ4セ8斜方晶系ファッドa 21.141 b 21.138 c 12.712[69]
Ce 3 CuGaSe 71106.34六角P 6 3a=10.6007 c=6.3775 Z=2620.655.920[47]
バ2ガセセ5斜方晶系ファッドa 12.494 b 9.599 c 8.738[73]
Pr 3 CuGaSe 71108.71六角P 6 3a=10.4181 c=6.3743 Z=2599.166.146[47]
NaNdGa 4 Se 8斜方晶系ファッドa 21.015 b 21.045 c 12.709[69]
Nd 3 FeGaSe 7六角P 6 3a 10.2453 c 6.4076 Z=2582.47[74]
Nd 3 CoGaSe 7六角P 6 3a=10.2296 c=6.4272582.47[71]
Nd 3 NiGaSe 7六角P 6 3a=10.2117 c=6.4066578.57[71]
Nd 3 CuGaSe 71118.70六角P 6 3a=10.3426 c=6.3869 Z=2591.76.279[47]
バ2ガンドセ5三斜晶系P1​a 7.29Å b 8.7914Å c 9.47Å、α 103.77° β 102.91° γ 107.72°[62]
SmGa 2 Se 4菱形a=21.34、b=21.60、c=12.74[75]
Ba 2 GaSmSe 5三斜晶系P1​a 7.3017Å b 8.7635Å c 9.4554Å、α 103.672° β 102.963° γ 107.637°[62]
Gd 3 FeGaSe 7六角P 6 3a 10.0762 c 6.4265 Z=2[74]
Ba 2 GaGdSe 5三斜晶系P1​a 7.2834Å b 8.7062Å c 9.4079Å、α 103.65° β 103.02° γ 107.52°[62]
Dy 3 FeGaSe 7六角P 6 39.9956Å c 6.398 Z=2[74]
Ba 2 GaDySe 5三斜晶系P1​a 7.2772Å b 8.6543Å c 9.3792Å、α 103.53° β 103.07° γ 107.43°[62]
バ2ガエレセ5三斜晶系P1​a 7.2721Å b 8.6258Å c 9.3621Å、α 103.41° β 103.13° γ 107.39°[62]
Ba 2 GaTbSe 5三斜晶系P1​a 7.309 b 8.719 c 9.433、α 103.548° β 103.039° γ 107.520°[73]
Ba 2 GaHoSe 5三斜晶系P1​a 7.2964 b 8.670 c 9.406、α 103.482° β 103.049° γ 107.423°[73]
Ba 2 GaTmSe 5三斜晶系P1​a 7.2884 b 8.6376 c 9.3823、α 103.429° β 103.075° γ 107.360°[73]
Ba 2 GaYbSe 5三斜晶系P1​a 7.2864 b 8.6257 c 9.3716、α 103.4154° β 103.0369° γ 107.3396°[73]
バ2ガルセ5三斜晶系P1​a 7.2829 b 8.6120 c 9.368、α 103.362° β 103.051° γ 107.308°[73]
水銀ガリウム2セレン4[76]
KHg 4 Ga 5 Se 122137.58三角R3​a 14.3203 b 14.3203 c 9.7057 Z=31723.76.178バンドギャップ 1.61 eV。 SHG=20× AgGaS2[32] [77] [78]
TlGaSe 2432.01単斜晶系C 2/ ca=10.760 b=10.762 c=15.626 β =100.19 Z=161780.86.445黒色；超四面体層；融点804℃；バンドギャップ1.87 eV[79]
TlGaGeSe 4662.52斜方晶系プンマa=17.4742 b=7.4105 c=11.9406 Z=81546.225.692[24]
Tl 2 Ga 2 GeSe 6正方晶系I 4/ mmca=8.0770 c=6.2572 Z=4[80]
Tl 0.8 Ga 0.8 Ge 1.2 Se 4 - mC 112622.22単斜晶系C 2/ ca=13.5831 b=7.4015 c=30.7410 β =96.066 Z=163073.35.379赤[24]
TlGaSnSe 4 - mP 56701.04単斜晶系P 2 1 / ca=7.501 b=12.175 c=18.203 β =97.164 Z=81649.45.646赤[24]
TlGaSnSe 4 - cP 84708.62キュービックパ3a=13.4755 Z=122447.05.770赤[24]
Tl2Ga2SnSe6​​​​​正方晶系I 4/ mmca=8.095 c=6.402 Z=4[80]
TlGaSn 2 Se 6R3​a=10.3289 c=9.4340871.645.6301塊は濃い灰色、粉末は栗色[81]
PbGa 2 Se 4662.47斜方晶系ファッドa =12.73 b=21.26 c=21.55 Z=3258306.036黄色から赤色；融点780℃；バンドギャップ1.83 eV[82] [83]
鉛0.72マンガン2.84ガリウム2.95セレン8六角P6​17.550 c 3.8916​[84]
PbGa 2 GeSe 6斜方晶系Fdd 2融点 720 °C 二軸（−）[61]
鉛4ガリウム4ゲルマニウムセレン12正方晶系P 4 2 1 ca = 13.064 c = 6.310 Z=2[85]
Ba 2 GaBiSe 5斜方晶系プンマa=12.691 b=9.190 c=9.245 Z=41078.25.841黄色[86]

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