グローバルファウンドリーズ

グローバルファウンドリーズ株式会社
会社の種類公的（子会社）
ISINKYG393871085
業界半導体
設立2009年3月2日; 16年前（ AMDのスピンオフとして） （2009年3月2日）
本部マルタ、ニューヨーク、米国
主要人物
  • トーマス・コールフィールド博士（会長）
  • ティム・ブリーン（CEO）
サービス半導体メーカー
収益減少 67億5000万米ドル（2024年）
減少 2億1,400万米ドル（2024年）
減少 2億6,200万米ドル（2024年）
総資産減少 168億米ドル（2024年）
総資本減少 108億米ドル（2024年）
所有者ムバダラ（82％）
従業員数
13,000（2025年）
Webサイトgf.com
脚注/参考文献
[1] [2]

GlobalFoundries Inc.は、ケイマン諸島に本拠地を置き、マルタとニューヨークに本社を置く多国籍 半導体受託製造・設計会社です。[3] 2009年3月にAMDの製造部門の売却により設立された同社は、 2021年10月の新規株式公開（IPO）まで、アラブ首長国連邦の政府系ファンドであるムバダラ・インベストメント・カンパニーによって非公開所有されていました。ムバダラは現在も82%の株式を保有し、同社の過半数株主です。[4]

同社は、スマートモバイルデバイス、自動車、航空宇宙および防衛、消費者向けモノのインターネット(IoT)、データセンター、通信インフラストラクチャなどの市場向けに設計されたウェハー上の集積回路を製造しています。

2023年現在、グローバルファウンドリーズは売上高で第3位の半導体ファウンドリーである。[5] [6] [7]同社はシンガポール、欧州連合、米国で事業を展開している唯一の企業であり、シンガポールに200 mmおよび300 mmウェーハ製造工場を1つずつ、ドイツのドレスデンに300 mm工場を1つ、バーモント州エセックスジャンクションに200 mm工場を1つ（同社が最大の民間雇用主である）[8] 、ニューヨーク州マルタに300 mm工場を1つ所有している。[9]

グローバルファウンドリーズは米国連邦政府の「信頼できるファウンドリー」であり、シンガポールとドイツでも同様の指定を受けており、国際コモンクライテリア規格（ISO 15408、CCバージョン3.1）の認定も受けています。[10] [11]

同社は2021年10月28日にナスダック証券取引所でIPOを行い、目標価格帯の上限となる1株あたり47ドルで株式を売却し、約26億ドルを調達した。[12]

歴史

2008年10月7日、アドバンスト・マイクロ・デバイセズ（AMD）は、ファブレス化と半導体製造事業の分社化を行い、新会社「ザ・ファウンドリー・カンパニー」を設立する計画を発表した。ムバダラは、子会社のアドバンスト・テクノロジー・インベストメント・カンパニー（ATIC）が、 AMDの半導体製造事業における持分を8.1%から55.6%に引き上げるため、7億ドルを支払うことに合意したと発表した。ムバダラは3億1400万ドルを投じて5800万株の新株を発行し、AMDの持分を19.3%に引き上げる。また、AMDの負債12億ドルをザ・ファウンドリー・カンパニーに譲渡する。[13] 2008年12月8日には、修正案が発表され、AMDがザ・ファウンドリー・カンパニーの株式を約34.2%、ATICが約65.8%保有することとなった。[14]

2009年3月4日、GlobalFoundriesが正式に発表された。[15] 2009年9月7日、ATICはシンガポールに拠点を置くChartered Semiconductorを25億シンガポールドル（18億米ドル）で買収し、Chartered SemiconductorをGlobalFoundriesに統合すると発表した。 [16] 2010年1月13日、GlobalFoundriesはChartered Semiconductorの統合を完了したと発表した。[17]

2012年3月4日、AMDは保有していた残りの14%の株式を売却すると発表し、これによりAMDの製造部門売却計画は完了した。[18]

2014年10月20日、IBMはマイクロエレクトロニクス事業をGlobalFoundriesに売却すると発表した。[19]

2015年現在、同社は10の製造工場を所有している。Fab 1はドイツのドレスデン、Fab 2から7はシンガポール、Fab 8から10は米国北東部にある。これらの拠点は、シンガポール、中国、台湾、日本、インド、米国、ドイツ、英国にまたがる研究開発、設計支援、顧客サポートのグローバルネットワークによって支えられている。[20] 2017年2月、同社は中国の成長著しい半導体市場に対応するため、中国に300番目の新Fab [Fab 11] を建設すると発表した。[21]

2016年、GlobalFoundriesはSamsung Electronicsから14 nm 14LPP FinFETプロセスのライセンスを取得しました。2018年、GlobalFoundriesはSamsungの14 nm 14LPPプロセスをベースに12 nm 12LPノードを開発しました。[22]

2018年8月27日、GlobalFoundriesは、最先端のパフォーマンスではなく特殊なプロセスに重点を置く戦略の転換により、7LPプロセスをキャンセルしたと発表した。[23]

2019年1月29日、AMDはGlobalFoundriesとのウェハ供給契約の改訂を発表しました。これにより、AMDは7nm以降のウェハをどのファウンドリからでも柔軟に購入できるようになりました。AMDとGlobalFoundriesは、2019年から2021年にかけて12nmプロセスでの契約締結と価格設定に合意しました。[24]

2019年5月20日、Marvell Technology GroupはGlobalFoundriesからAvera Semiを6億5000万ドルで買収し、さらに9000万ドルを追加する可能性があると発表した。Avera SemiはGlobalFoundriesのASICソリューション部門であり、IBMの半導体製造事業の一部であった。[25] 2019年2月1日、GlobalFoundriesは、 2019年12月31日までにMEMS事業から撤退する計画の一環として、シンガポールのタンピネスにあるFab 3EをVanguard International Semiconductor（VIS）に2億3600万ドルで売却すると発表した。 [26] 2019年4月22日、GlobalFoundriesはニューヨーク州イーストフィッシュキルのFab 10をON Semiconductorに4億3000万ドルで売却すると発表した。GlobalFoundriesは1億ドルを受け取っており、ON Semiconductorが完全な経営権を取得する2022年末にはさらに3億3000万ドルを受け取る予定だった。 300mmファブは65nmから40nmのプロセスに対応しており、IBM傘下であった。[27] 2019年8月15日、GlobalFoundriesはToppan Photomasksとの複数年供給契約を発表した。この契約には、ToppanがGlobalFoundriesのバーリントン・フォトマスク工場を買収することが含まれていた。[28]

2020年2月、GlobalFoundriesは、組み込み磁気抵抗不揮発性メモリ（eMRAM）の生産を開始したと発表しました。これは業界初の量産対応eMRAMです。[29]

2020年5月、グローバルファウンドリーズは、中国成都にFab 11を開設する計画を、米国との対立が報じられたため完全に断念すると発表しました。[30]これは、同社が新しいファブを開設するために100億ドルを投資すると発表した3年後のことでした。しかし、ファブは結局稼働しませんでした。[31]

2021年4月26日、グローバルファウンドリーズは、カリフォルニア州サンタクララからニューヨーク州マルタキャンパス（Fab 8の本拠地）にグローバル本社を即時移転すると発表した。[32]

2022年8月、Googleはオープンソースチップの設計と製造の取り組みを拡大し、GlobalFoundriesと提携して、同社の180nmノードをベースにしたオープンソースのプロセス設計キット（PDK）を開発しました。 [33] [34] 10月31日、Googleは今後数か月間、無償のOpenMPW（マルチプロジェクトウェーハ）シャトルランをスポンサーすると発表した。 [35]

グローバルファウンドリーズは、バーモント州のアスリートを支援するために2022年に50万ドル以上を集めたスペシャルオリンピックスバーモントペンギンプランジのゴールドスポンサーでした。 [36]

2023年2月、グローバルファウンドリーズは、電気自動車への移行が進む中、ゼネラルモーターズ（GM）向けに米国製半導体チップの独占供給契約を締結しました。これは「業界初」と称される契約です。この契約により、ゼネラルモーターズは自社の車両に必要な各種チップの数を削減できるようになります。両社はニューヨーク州マルタで生産を計画しています。この契約はすぐに新規雇用を生み出すものではありませんが、チップ供給の安定性を確保するものです。発表当時、グローバルファウンドリーズのCEOであるトーマス・コーフィールド氏は、この生産増加の効果が本格的に現れるのは2～3年後になると述べています。[37] [38] [39] [40] [41]

2023年9月21日、米国国防総省（DoD）は、GlobalFoundries社に対し、航空宇宙および防衛分野の重要用途向けに安全に製造された半導体を供給する10年間の契約を締結しました。契約金額は1,730万ドル、10年間の支出上限は総額31億ドルです。この契約により、DoDとその請負業者はGlobalFoundries社の米国製半導体を利用できるようになります。また、この契約では、GlobalFoundries社の設計エコシステム、IPライブラリ、そして先進技術へのアクセスも提供されます。[42]

2024年11月、GFは、セミコンダクター・マニュファクチャリング・インターナショナル・コーポレーションに関連する制裁対象企業に1,7​​00万ドル相当の製品を無許可で出荷したとして、米国商務省に50万ドルの罰金を支払った。[43] [44]

CHIPSおよび科学法に基づく拡大と投資

2024年2月、米国商務省はCHIPS・科学法の一環としてGFへの15億ドルの投資計画を発表し、GFはこの資金提供イニシアチブによる最初の主要助成金の受領者となりました。この投資は、GFの製造能力の拡大と新規導入に向けた取り組みを強化し、自動車、IoT、航空宇宙、防衛、その他の重要分野向け半導体の生産を強化することを目的としています。[45]

グローバルファウンドリーズ対TSMC他（2019年）

2019年8月26日、GlobalFoundriesは米国とドイツでTSMCとTSMCの一部顧客[46]に対して特許侵害訴訟を起こした。GlobalFoundriesは、TSMCの7nm、10nm、12nm、16nm、28nmノードが自社の特許16件を侵害していると主張している。訴訟は米国国際貿易委員会、デラウェア州連邦地方裁判所、テキサス州西部地区連邦地方裁判所、デュッセルドルフ地方裁判所、ドイツの マンハイム地方裁判所に提起された。 [47] GlobalFoundriesは、Apple、Broadcom、MediaTek、Nvidia、Qualcomm、Xilinx、Arista、ASUS、BLU、Cisco、Google、Hisense、Lenovo、Motorola、TCL、OnePlus、Avnet/EBV、Digi-Key、Mouserの20社を被告として挙げている。[48] 8月27日、TSMCは、提出された訴状を検討中であるものの、申し立ては根拠がないと確信しており、自社の独自技術を断固として擁護すると発表した。[49]

2019年10月1日、TSMCは米国、ドイツ、シンガポールでGlobalFoundriesを相手取り特許侵害訴訟を起こした。TSMCは、GlobalFoundriesの12nm、14nm、22nm、28nm、40nmノードが自社の特許25件を侵害していると主張した。 [50]

2019年10月29日、TSMCとGlobalFoundriesは紛争の解決を発表しました。両社は、既存の半導体特許に加え、今後10年間に両社が出願する新規特許についても、特許存続 期間を延長した新たなクロスライセンス契約を締結することで合意しました。 [51] [52] [53] [54] [55]

ドレスデン拡張（2025年）

2025年10月28日、グローバルファウンドリーズは、ドイツのドレスデンにある製造拠点の拡張（プロジェクトSPRINT）に11億ユーロを投資する計画を発表した。目標は、2028年末までに年間100万枚のウェハー生産を達成することである。ドイツ連邦政府とザクセン州の支援を受けるこの投資は、欧州チップ法の枠組みの一環であり、欧州の半導体サプライチェーンのレジリエンス強化を目的としている。[56]

GlobalFoundriesのCEO一覧

  • ダグ・グロース（2009–2011）[57]
  • アジット・マノチャ（2011–2014）
  • サンジェイ・ジャー（2014–2018）[58]
  • トーマス・コールフィールド（2018–2025）[59]
  • ティム・ブリーン（2025年～現在）[60]

稼働中の鋳造工場

名前ウエハース位置地理的位置プロセス
ファブ1300ミリメートルドレスデン、ドイツ北緯51度07分30秒 東経13度42分58秒 / 北緯51.125度 東経13.716度 / 51.125; 13.716 (GlobalFoundries Fab 1、ドレスデン)55、45、40、32、28、22nm、12nm
ファブ2200ミリメートルウッドランズ、シンガポール北緯1度26分10秒 東経103度45分58秒 / 北緯1.436度 東経103.766度 / 1.436; 103.766 (シンガポール、ウッドランズのGlobalFoundriesファブ)600～350 nm
素晴らしい 3/5200ミリメートルウッドランズ、シンガポール北緯1度26分10秒 東経103度45分58秒 / 北緯1.436度 東経103.766度 / 1.436; 103.766 (シンガポール、ウッドランズのGlobalFoundriesファブ)350～180 nm
ファブ3E200ミリメートルタンピネス、シンガポール（2019年： VISに売却）1°22′16″N 103°55′44″E / 1.371°N 103.929°E / 1.371; 103.929 (シンガポール、タンピネスのGlobalFoundries工場)180 nm
ファブ6200ミリメートルウッドランズ、シンガポール（300 mmに改造され、Fab 7に統合）北緯1度26分10秒 東経103度45分58秒 / 北緯1.436度 東経103.766度 / 1.436; 103.766 (シンガポール、ウッドランズのGlobalFoundriesファブ)180～110 nm
ファブ7300ミリメートルウッドランズ、シンガポール北緯1度26分10秒 東経103度45分58秒 / 北緯1.436度 東経103.766度 / 1.436; 103.766 (シンガポール、ウッドランズのGlobalFoundriesファブ)130～40 nm
ファブ8300ミリメートルルーサーフォレストテクノロジーキャンパス、サラトガ郡、ニューヨーク、アメリカ合衆国北緯42°58′12″ 西経73°45′22″ / 北緯42.970° 西経73.756° / 42.970; -73.756 (グローバルファウンドリーズ Fab 8)28、20、14 nm
ファブ9200ミリメートルエセックス・ジャンクション、バーモント州、アメリカ合衆国北緯44°29′ 西経73°06′ / 北緯44.48° 西経73.10° / 44.48; -73.10 (グローバルファウンドリーズ第9工場) [61]350～90 nm

300 mm製造設備

ドレスデンのGlobalFoundries Fab 1

ファブ1

ドイツのドレスデンにあるFab 1は、364,512 m 2の工場で、設立と同時にGlobalFoundriesに移管されました。Fab 36とFab 38はそれぞれモジュール1とモジュール2に改名されました。各モジュールは、直径300 mmのウェーハを月産25,000枚生産できます。[9] [62]

モジュール1は300mmウェーハ生産施設です。40nm、28nm BULK、22nm FDSOIウェーハの製造が可能です。モジュール2は当初「(AMD) Fab 30」と名付けられ、月産3万枚のウェーハを生産する200mmウェーハ工場でしたが、現在は300mmウェーハ工場に改装されています。[63]別館などの他のクリーンルーム拡張施設と合わせ、 45nm以下の技術を用いて、最大で月産8万枚の300mmウェーハ（200mmウェーハ換算で月産18万枚）の生産能力を有しています。

2016年9月、グローバルファウンドリーズは、Fab 1を改修し、12nmの完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ（FDSOI）製品を生産すると発表した。[64]同社は、顧客製品のテープアウトが2019年上半期に開始されると予想していた。

2020年、ドレスデン工場の年間生産能力は30万枚だった。[65]

2023年には、グローバルファウンドリーズがドレスデン工場に80億ドルを投資し、最大の生産拠点の生産能力を倍増させる計画であることが発表された。[66]

ファブ7

シンガポールのウッドランズにあるFab 7は、チャータード・セミコンダクターが所有していた稼働中の300mmウェーハ工場です。バルクCMOSおよびSOIプロセスを用いて、 130nmから40nmのウェーハを生産しています。最大生産能力は300mmウェーハで月5万枚（200mmウェーハ換算で月11万2500枚）です。[67]

2021年4月15日 Fab 7の目標生産能力は70～80kpcs/Mに拡大されます。

ファブ8

Fab 8は、アメリカ合衆国ニューヨーク州サラトガ郡ルーサーフォレストテクノロジーキャンパスにある300 mmファブです。この製造工場は、GFが先端技術向けのグリーンフィールドファブとして建設しました。14 nmノード技術の製造が可能です。工場の建設は2009年7月に始まり、同社は2012年に量産を開始しました。[9] [68]最大製造能力は300 mmウェーハで月6万枚、または200 mmウェーハで月13万5000枚以上です。2016年9月、GlobalFoundriesは、2018年後半から7 nm FinFET部品を生産するためにFab 8を改修するために数十億ドルを投資すると発表した。[69]このプロセスは、当初は深紫外線リソグラフィーを使用し、最終的には極端紫外線リソグラフィーに移行する予定でした。[70]

しかし、2018年8月、GlobalFoundriesは、Fab 8を7nm生産用に装備するには費用がかかりすぎることを理由に、7nmの開発と計画生産を一時停止することを決定しました。GlobalFoundriesは、追加リソースを確保できれば、将来的に7nmの操業を再開する可能性を残していました。この決定から、GlobalFoundriesは、FD-SOI製造と研究開発にさらに力を入れるという企業戦略の転換を実行しました。Fab 8は、AMD（Advanced Micro Devices）にZenベースのRyzen、Threadripper、EpycシリーズのCPU用のCPUウェーハを供給するという重要な機能を果たしています。オリジナルのZenおよびZen+ CPUはモノリシック設計で、ニューヨーク州マルタのGlobalFoundries施設で製造されていました。AMDは、 Zen 2シリーズでチップレット設計を追求しました。Zen 2デスクトップおよびサーバープロセッサは、14/12 nmで製造されたI/Oダイと、その周りに多数の7nmコアダイで構成されています。 GlobalFoundriesが7nmプロセス生産の停止を発表した際、AMDは7nmコアダイの生産をTSMC（台湾セミコンダクター・マニュファクチャリング・カンパニー）に移管する計画に変更しました。コアダイの製造拠点については一部で憶測が飛び交いました。2019年1月29日に行われたAMDの2018年第4四半期決算発表の電話会議において、AMD CEOのリサ・スー氏は、GlobalFoundriesからの生産および買収を規定するWSA（ウェーハ供給契約）が7度目の改訂を行ったことを発表しました。この改訂では、AMDはGlobalFoundriesから12nmノード以降のウェーハを引き続き調達する一方で、7nmノードで製造されたウェーハについては、ロイヤリティを支払うことなく、あらゆる供給元から購入できる自由が与えられました。この契約は2024年まで有効で、その間、GlobalFoundriesはマルタ工場の稼働を確保します。ウェーハの価格設定は2021年まで有効で、その時点でWSAが再度改訂される可能性があります。[71] [要更新]

信頼できるサプライヤーとしての認定

2023年5月、米国国防総省（DoD）は、国防マイクロエレクトロニクス活動（DMEA）の信頼アクセス・プログラム・オフィス（TAPO）を通じて、ニューヨーク州マルタにあるGlobalFoundries社の先進製造施設をカテゴリー1Aの信頼サプライヤーとして認定しました。この認定により、GlobalFoundries社は、航空宇宙および防衛分野の幅広い重要アプリケーション向けに、セキュアな半導体を製造できるようになります。[72]

ファブ10

アメリカ合衆国ニューヨーク州イーストフィッシュキルにあるFab 10 [73]は、以前はIBM Building 323として知られていました。IBM Microelectronicsの買収に伴い、GlobalFoundriesの傘下となりました。現在、14nmノードまでの技術を製造しています。2019年4月、このFabがON Semiconductorに4億3000万ドルで売却されたことが発表されました。施設は3年以内に移転される予定です。[74]

2023年2月10日、オンセミコンダクターはニューヨーク州イーストフィッシュキルにあるGFの300mm工場と製造施設の買収を完了しました。[75]

200 mm製造設備

Fab 9を除くすべての200 mmファブはシンガポールにあり、元々はChartered Semiconductorが所有していました。

ファブ2

シンガポールのウッドランズにあるFab 2。このFabは、厳選された車載用IC製品、高電圧電源管理IC、ミックスドシグナル製品に使用される600～350nmのウェハを製造可能です。

素晴らしい 3/5

シンガポールのウッドランズにあるFab 3/5。このファブは、小型パネルディスプレイドライバやモバイル電源管理モジュール向けの高電圧ICに使用される350～180nmのウェハを製造できます。

ファブ3E

シンガポールのタンピネスにあるFab 3E。このファブでは、厳選された車載用IC製品、高電圧電源管理IC、および不揮発性メモリ技術を組み込んだミックスドシグナル製品に使用される180nmウェーハを生産しています。

2019年1月、GlobalFoundriesはシンガポールのFab 3EをVanguard International Semiconductor Corporationに売却することに合意し、所有権の移転は2019年12月31日に完了する予定であると発表しました。

ファブ6

シンガポールのウッドランズにあるFab 6は、 180 ～110nmプロセスでWi-FiやBluetoothデバイスなどのアプリケーション向けCMOSおよびRFCMOS統合製品を製造できる銅製造施設です。この施設は後に300mmウェーハに改修され、300mmウェーハ技術に基づく製品を製造するFab 7と統合されました。[76]

ファブ9

アメリカ合衆国バーモント州エセックス・ジャンクション市にあるFab 9 [73]は、同州最大の都市バーリントン近郊に位置し、IBMマイクロエレクトロニクスの買収によりGlobalFoundriesの傘下となった。このFabは90nmノードまでの技術を製造しており、バーモント州内で最大の民間雇用主となっている。また、2019年に凸版印刷に売却されるまで、7nmノードまでの開発を行う専用マスクショップも併設されていた。 [77]

合併と買収

チャータードセミコンダクター

グローバルファウンドリーズの筆頭株主であるアブダビのアドバンスト・テクノロジー・インベストメント社は、2009年9月6日、シンガポールに拠点を置くチャータード・セミコンダクター・マニュファクチャリング社を総額39億ドルで買収し、チャータード社の事業をグローバルファウンドリーズに統合することに合意したと発表した。[78]

Chartered Semiconductorは、 IBMの半導体技術アライアンスであるCommon Platformのメンバーです。GlobalFoundriesは、Common Platform Technology AllianceのJDAパートナーです。

IBMマイクロエレクトロニクス

2014年10月、グローバルファウンドリーズはIBMから15億ドルを受け取り、 IBMマイクロエレクトロニクスの買収を承諾した。買収対象には、バーモント州エセックス・ジャンクションの200mmファブ（現ファブ9）とニューヨーク州イースト・フィッシュキルの300mmファブ（現ファブ10）が含まれていた。この契約では、グローバルファウンドリーズは今後10年間、IBMのサーバー用プロセッサチップの独占供給業者となることになっていた。この取引は2015年7月1日に完了した。[79]買収に伴いグローバルファウンドリーズに移籍したIBMインドの従業員は、現在バンガロールオフィスに勤務している。[80]

2019年4月、オン・セミコンダクターとグローバルファウンドリーズは、ニューヨーク州イーストフィッシュキルにあるグローバルファウンドリーズの300mmファブ10の所有権をオン・セミコンダクターに4億3000万ドルで譲渡する契約を発表しました。[81]

2021年と2023年に、GlobalFoundriesはIBMとIntelおよびRapidusとの契約に関連する知的財産権紛争でIBMを訴えた。[82]

タゴールテクノロジー

2024年7月1日、GlobalFoundriesはTagore Technologyの独自かつ量産実績のある窒化ガリウム（GaN）IPポートフォリオを買収しました。[83]この買収により、GFの電力管理ソリューションのロードマップが拡大し、AIデータセンター、自動車、IoTアプリケーションにおける高効率電力供給システム向けの市場をリードするGaN IPへのアクセスが広がりました。

MIPSテクノロジーズ

2025年、GlobalFoundriesはRISC-VおよびAIプロセッサIPの開発会社であるMIPS Technologiesを買収しました。[84]この買収によりGFのコンピューティングIPポートフォリオが拡大し、差別化された技術への低消費電力プロセッサアーキテクチャの統合がサポートされました。

GlobalFoundries-TSMC GaN技術ライセンス

2025年11月10日、GlobalFoundriesはTSMCと650Vおよび80V GaN技術に関する技術ライセンス契約を締結しました。[85]この契約は、GFのデータセンター、産業、自動車用途向けの高効率デバイスをターゲットとした米国ベースのGaNパワーポートフォリオの開発を支援するものです。

アドバンストマイクロファウンドリー

2025年11月17日、GlobalFoundriesはシンガポールに拠点を置くシリコンフォトニクスファウンドリーであるAdvanced Micro Foundry（AMF）の買収を発表しました。[86] [87]この買収により、GFはデータセンター、通信、センシング、LiDAR市場向けのシリコンフォトニクスおよび光インターコネクト製造能力を強化しました。この買収により、GFは売上高で最大のシリコンフォトニクス専業ファウンドリーとなりました。

2025年11月25日、GlobalFoundriesは、カイロに拠点を置き、高速光接続ソリューションに注力する半導体スタートアップ企業InfiniLinkを買収しました。[88]この買収は、GFのプラガブルトランシーバー、コパッケージオプティクス（CPO）、AIデータセンターおよび高性能ネットワークインフラストラクチャ向けの光コンポーネントの開発を加速することを目的としています。

プロセス技術

GlobalFoundriesの22nm FD-SOIプロセスはSTMicroelectronicsからのセカンドソースです。[89] STMicroelectronicsは後に同じ技術についてSamsungと調達およびライセンス契約を締結しました。[90]

GlobalFoundriesの14nm 14LPP FinFETプロセスは、Samsung Electronicsからのセカンドソースです。GlobalFoundriesの12nm FinFETノードは、Samsungの14nm 14LPPプロセスに基づいています。[22] 

ノード名ITRS
ノード
（nm）
導入日		ウェーハサイズ
（mm）		リソグラフィー
（波長）		トランジスタ
型		ゲート
ピッチ
（nm）		金属1
ピッチ
（nm）		SRAM
ビット密度
（μm 2）
4S6001993200 バルク–平面–––
CS-245001993200 バルク–平面–––
5L5001993200 バルク–平面–––
5S5001994200 バルク–平面–––
シゲ 5HP5002001200–平面–––
シゲ 午前5時5002001200–平面–––
SiGe 5DM5002002200–平面–––
SiGe 5PA5002002200–平面–––
5倍4501994200 バルク–平面–––
CS-343501995200 バルク–平面–––
SiGe 5HPE3502001200–平面–––
SiGe 5PAe [91]3502007200–平面–––
SiGe 5PAx [91]3502016200–平面–––
SiGe 1KW5PAe [91]350?200–平面–––
SiGe 1K5PAx [91]3502016200–平面–––
6S2901996200 バルク–平面–––
CS-442501998200 バルクドライ248nm DUV平面–––
6S22501997200 バルクドライ248nm DUV平面–––
6SF250?200 バルクドライ248nm DUV平面–––
6倍2501997200 バルク–平面–––
6RF2502001200 バルクドライ248nm DUV平面–––
250SOI2501999200 SOIドライ248nm DUV平面–––
SiGe 6HP [92]2502000200ドライ248nm DUV平面–––
SiGe 6DM250?200ドライ248nm DUV平面–––
SiGe 6WL2502007200ドライ248nm DUV平面–––
7S2201998200 バルクドライ248nm DUV平面–––
220SOI2201999200 SOIドライ248nm DUV平面–––
7HV1802010200ドライ248nm DUV平面–––
180 BCDLite [93]1802011200ドライ248nm DUV平面–––
180 超高真空[93]1802017200ドライ248nm DUV平面–––
7SF1801999200 バルクドライ248nm DUV平面–––
7TG180?200 バルクドライ248nm DUV平面–––
7RF1802003200 バルクドライ248nm DUV平面–––
8S1802000200 SOIドライ248nm DUV平面–––
7RF SOI [94]1802007200 RF-SOI、300 RF-SOIドライ248nm DUV平面–––
7SW RF SOI [94]1802014200 RF-SOIドライ248nm DUV平面–––
SiGe 7WL [95]1802003200ドライ248nm DUV平面–––
シゲ 7HP1802003200ドライ248nm DUV平面–––
130 BCDLite [93]1302014300ドライ248nm DUV平面–––
130 BCD [93]130?300ドライ248nm DUV平面–––
8SF1302000200 バルクドライ248nm DUV平面–––
8SFG1302003200バルク、300バルクドライ248nm DUV平面–––
8RF1302003200バルク、300バルクドライ248nm DUV平面–––
130G [96]130?300 バルクドライ248nm DUV平面–––
130LP [96]130?300 バルクドライ248nm DUV平面–––
130LP/EE [96]130?300 バルクドライ248nm DUV平面–––
110TS [96]130?300 バルクドライ248nm DUV平面–––
9S1302000200SOI 、300SOI​ドライ248nm DUV平面–––
130RFSOI [94]1302015300 RF-SOIドライ248nm DUV平面–––
8SW RF SOI [94]1302017300 RF-SOIドライ248nm DUV平面–––
SiGe 8WL [95]1302005200ドライ248nm DUV平面–––
SiGe 8HP [95]1302005200、300ドライ248nm DUV平面–––
SiGe 8XP [95]1302016200ドライ248nm DUV平面–––
9SF902004300 バルクドライ193nm DUV平面–––
9LP902005300 バルクドライ193nm DUV平面–––
9RF90?300 バルクドライ193nm DUV平面–––
10S902002300 SOIドライ193nm DUV平面–––
90RFSOI902004300 RF-SOIドライ193nm DUV平面–––
9SW [97]902023300 RF-SOIドライ193nm DUV平面–––
90WG [98]902018300 バルクドライ193nm DUV平面–––
90WG+ [98]90?300 バルクドライ193nm DUV平面–––
SiGe 9HP [95]902014年、2018年200、300ドライ193nm DUV平面–––
10SF65?300 バルクドライ193nm DUV平面–––
10LP65?300 バルクドライ193nm DUV平面–––
65LPe [99]652009300 バルクドライ193nm DUV平面–––
65LPe-RF [99]652009300 バルクドライ193nm DUV平面–––
10RFe65?300 バルクドライ193nm DUV平面–––
11S652006300 SOIドライ193nm DUV平面–––
65RFSOI652008300 RF-SOIドライ193nm DUV平面–––
55 BCDLite [99]552018300ドライ193nm DUV平面–––
55HV [100]55?300ドライ193nm DUV平面–––
55 ULP [99]55?300 バルクドライ193nm DUV平面–––
55LPe55?300 バルクドライ193nm DUV平面–––
55LPe-RF55?300 バルクドライ193nm DUV平面–––
55LPx [99]55?300 バルクドライ193nm DUV平面–––
55RF [99]55?300 バルクドライ193nm DUV平面–––
45LP45?300 バルクウェット 193nm DUV平面–––
12S452007300 SOIウェット 193nm DUV平面–––
45RFSOI [101]452008300 RF-SOIウェット 193nm DUV平面–––
45RFE [101]452017300 RF-SOIウェット 193nm DUV平面–––
45CLO [102]452021300ウェット 193nm DUV平面–––
40HV [100]40?300ウェット 193nm DUV平面–––
40LP [103]40?300 バルクウェット 193nm DUV平面–––
40LP-RF [103]40?300 バルクウェット 193nm DUV平面–––
13S322009300 SOIウェット 193nm DUV平面–––
32LP32?300 バルクウェット 193nm DUV平面–––
32馬力32?300 SOIウェット 193nm DUV、ダブルパターニング平面–––
32SHP322010300 SOIウェット 193nm DUV、ダブルパターニング平面–––
28HV [100]282019300ウェット 193nm DUV平面–––
28LP282009300 バルクウェット 193nm DUV平面–––
28SLP [104]282010300 バルクウェット 193nm DUV平面–––
28SLPe282011300 バルクウェット 193nm DUV平面–––
28馬力282010300 バルクウェット 193nm DUV、ダブルパターニング平面–––
28HPP [104]282011300 バルクウェット 193nm DUV、ダブルパターニング平面–––
28SHP282013300 バルクウェット 193nm DUV、ダブルパターニング平面–––
28SLP RF282015300 バルクウェット 193nm DUV平面–––
28FDSOI [89] [90]282012300 FD-SOIウェット 193nm DUV平面–––
22FDX-ULP [105]222015300 FD-SOIウェット 193nm DUV平面–––
22FDX-UHP [105]222015300 FD-SOIウェット 193nm DUV平面–––
22FDX-ULL [105]222015300 FD-SOIウェット 193nm DUV平面–––
22FDX-RFA [105]222017300 FD-SOIウェット 193nm DUV平面–––
22FDX RF+ [106]222021300 FD-SOIウェット 193nm DUV平面–––
14LPP [107]142015300 バルクウェット 193nm DUV、ダブルパターニング3D（フィンFET）78640.09
14HP [108]142017300 SOIウェット 193nm DUV、ダブルパターニング3D（フィンFET）–––
12LP [109]122018300 バルクウェット 193nm DUV、ダブルパターニング3D（フィンFET）–––
12LP+ [110]122019300 バルクウェット 193nm DUV、ダブルパターニング3D（フィンFET）–––

現在ここにリストされているプロセスの数: 106

参照

参考文献

  1. ^ “About Us”. GlobalFoundries . 2016年9月28日. 2015年8月12日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2019年7月4日閲覧。
  2. ^ 「GlobalFoundries Inc. 2024年度年次報告書（フォーム20-F）」米国証券取引委員会2025年3月20日. 2025年3月21日閲覧。
  3. ^ 「GLOBALFOUNDRIES、本社をニューヨークの最先端半導体製造施設に移転」 Wayback Machineで2021年11月10日にアーカイブ。2021年4月26日閲覧。
  4. ^ Kwok, Karen (2024年11月12日). 「Gulf's AI strategy is built on more than sand. Reuters. 2024年11月13日時点のオリジナルよりアーカイブ。2025年1月23日閲覧。
  5. ^ “GlobalFoundriesはいかにして世界第3位のチップファウンドリーの座を維持しようとしているのか”. CNBC. 2023年10月1日. 2023年10月2日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2023年10月2日閲覧。
  6. ^ Sun, Leo (2021年7月21日). 「IntelのGlobalFoundriesへの関心は、これら4社のチップメーカーに影響を与える可能性がある」The Motley Fool . 2023年2月14日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2021年8月16日閲覧。
  7. ^ Leswing, Kif (2021年4月2日). 「米国最大のチップファウンドリーのCEOが、半導体不足が2022年まで続く可能性がある理由を説明」CNBC . 2023年2月26日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2021年5月25日閲覧。
  8. ^ “Bottom Line: How GlobalFoundries Makes Microchips Between Lockdown”. 2023年3月13日時点のオリジナルよりアーカイブ。2021年2月15日閲覧。
  9. ^ abc 「製造業」。2016年6月5日時点のオリジナルよりアーカイブ。2015年8月6日閲覧。
  10. ^ Julia Chatterley [@jchatterleyCNN] (2021年4月6日). 「GLOBALFOUNDRIES CEOのトーマス・コールフィールド氏、米国半導体業界には数十億ドル規模の投資が必要と語る」（ツイート）– Twitter経由。
  11. ^ Shih, Willy. 「GlobalFoundries、ニューヨーク州北部の国防総省向けにセキュアチップを製造」Forbes . 2023年2月26日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2021年5月25日閲覧。
  12. ^ 「チップメーカーのGlobalFoundries、IPO価格を上限に設定し26億ドルを調達」ロイター通信。2023年2月26日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2021年11月9日閲覧。
  13. ^ ライアン・スミス「テック業界のビジネス：分割は難しい ― AMDがファブレスへ」anandtech.com。2023年2月26日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2019年8月29日閲覧。
  14. ^ 「AMD、Advanced Technology Investment Company、Mubadalaが取引契約を修正」mubadala.com. 2008年12月8日。2023年6月2日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2019年8月29日閲覧。
  15. ^ 「世界初のグローバル半導体ファウンドリー企業、GlobalFoundriesが事業を開始」mubadala.com. 2009年3月4日。2023年5月30日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2019年8月29日閲覧。
  16. ^ 「ATICがChartered Semiconductorの買収を入札、GlobalFoundriesは丁寧に微笑む」PC Perspective 2009年9月7日。2023年6月6日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2019年8月29日閲覧。
  17. ^ 「GlobalFoundries、統合を完了し、世界初の真のグローバルファウンドリーとして誕生」GlobalFoundries. 2010年1月17日. オリジナルより2010年1月17日時点のアーカイブ。 2019年8月29日閲覧。
  18. ^ Shimpi, Anand Lal. 「GlobalFoundriesが独立を承認、AMDから残りの株式を取得」 AnandTech. 2023年4月15日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2012年12月8日閲覧。
  19. ^ 「GlobalFoundries、IBMのマイクロエレクトロニクス事業を買収」(PDF) ibm.com. 2023年4月27日時点のオリジナルよりアーカイブ(PDF) 。 2019年9月2日閲覧。
  20. ^ 「GlobalFoundries、業界初の28nmサインオフ対応デジタル設計フローを発表」（プレスリリース）2011年1月13日。2014年2月14日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2011年1月16日閲覧。
  21. ^ “globalfoundries-to-expand-capacities-build-a-fab-in-china” (プレスリリース). 2017年2月11日. 2023年2月26日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2017年9月4日閲覧。
  22. ^ ab Schor, David (2018年7月22日). 「VLSI 2018: GlobalFoundries 12nm Leading-Performance, 12LP」. WikiChip Fuse. 2019年4月7日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2019年5月31日閲覧。
  23. ^ Shilov, Anton; Ian, Cutress. 「GlobalFoundries、7nmプロセス開発を全面的に中止：特殊プロセスに注力」anandtech.com. 2019年10月12日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2019年8月29日閲覧。
  24. ^ “文書”. sec.gov . 2023年3月31日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2019年8月29日閲覧。
  25. ^ Marvell. 「Marvell、Avera Semiを買収し、インフラASICの強豪企業を創出」（プレスリリース）. prnewswire.com. 2019年8月12日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2019年8月29日閲覧。
  26. ^ Shilov, Anton. 「GlobalFoundries、200mmファブ3EをVanguardに売却、MEMS事業から撤退」anandtech.com. 2019年8月29日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2019年8月29日閲覧。
  27. ^ eric.millington (2019年4月22日). 「ON SemiconductorとGlobalFoundries、ニューヨーク州イーストフィッシュキルの300mm工場の所有権移転で提携」GlobalFoundries . 2019年8月29日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2019年8月29日閲覧。
  28. ^ eric.millington (2019年8月13日). 「Toppan PhotomasksとGlobalFoundries、複数年供給契約を締結」GlobalFoundries . 2019年8月29日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2019年8月29日閲覧。
  29. ^ 「GlobalFoundries、IoTおよび車載アプリケーション向けに22FDXプラットフォーム上で業界初の量産対応eMRAMを提供」。Design And Reuse誌。2020年8月1日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2020年3月12日閲覧。
  30. ^ 「米国企業が半導体工場を閉鎖、中国の半導体需要は低下」サウスチャイナ・モーニング・ポスト、2020年5月20日。2021年6月5日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2021年6月5日閲覧。
  31. ^ Geng, Yvonne (2020年5月26日). 「GlobalFoundries、成都のウェーハ工場を放棄」. EE Times . 2020年12月16日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2021年1月1日閲覧。
  32. ^ Rulison, Larry (2021年4月26日). 「GlobalFoundriesが本社をマルタに移転」Times Union . 2021年11月28日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2021年11月28日閲覧。
  33. ^ Morra, James (2022年8月10日). 「GlobalFoundriesとGoogle、オープンソースシリコンのさらなる開発を推進」. Electronic Design (雑誌). 2022年8月12日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2022年8月25日閲覧。
  34. ^ McGowran, Leigh (2022年8月9日). 「Google、新たなパートナーシップでオープンソースチップ構想を拡大」. Silicon Republic. 2022年8月25日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2022年8月25日閲覧。
  35. ^ 「Google、GlobalFoundries PDK向けオープンソースシリコン製造シャトルに資金提供」Google Open Source Blog. 2022年11月13日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2022年11月13日閲覧。
  36. ^ 「ペンギン・プランジがスペシャルオリンピックス・バーモントに50万​​ドル以上を寄付」スペシャルオリンピックスVT 2022年3月18日 2024年7月26日閲覧。
  37. ^ Wayland, Michael (2023年2月9日). 「ゼネラルモーターズ、米国における半導体独占生産でGlobalFoundriesと契約」CNBC . 2023年2月9日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2023年2月10日閲覧。
  38. ^ Rulison, Larry (2023年2月9日). 「GlobalFoundries、GMと提携し車載チップを提供」Times Union . 2023年2月10日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2023年2月10日閲覧。
  39. ^ Boudette, Neal E. (2023年2月9日). 「ゼネラルモーターズ、チップ供給確保で合意」.ニューヨーク・タイムズ. ISSN  0362-4331. 2023年2月10日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2023年2月10日閲覧。
  40. ^ TOM KRISHER (2023年2月9日). 「GM、ニューヨーク州北部の生産者とコンピューターチップ供給契約を締結」. Lockport Union-Sun & Journal . Associated Press. 2023年2月9日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2023年2月10日閲覧。
  41. ^ Valdes-Dapena, Peter (2023年2月9日). 「GM、米国での半導体生産に関する独占契約を締結」CNN. 2023年2月10日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2023年2月10日閲覧。
  42. ^ 「米国政府、GlobalFoundries社にセキュアチップ製造のための31億ドルの10年契約を新たに授与」GlobalFoundries. 2023年9月21日. 2023年9月27日閲覧。
  43. ^ Alper, Alexandra; Ward, Jasper; Ljunggren, David (2024年11月1日). 「米国、制裁対象中国企業へのチップ出荷でGlobalFoundriesに罰金」ロイター. 2024年11月1日閲覧。
  44. ^ Swanson, Ana (2024年11月1日). 「チップメーカーGlobalFoundries、中国への出荷禁止で50万ドルの罰金に直面」ニューヨーク・タイムズ. 2024年11月1日閲覧。
  45. ^ 「バイデン・ハリス政権、米国自動車産業および防衛産業向け国内レガシーチップ供給強化のため、グローバルファウンドリーズとの暫定契約を発表」2024年2月19日。2024年2月25日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2024年2月24日閲覧。
  46. ^ Zafar, Ramish (2019年8月26日). 「GlobalFoundries、特許侵害容疑でTSMC他19社を提訴」. 2019年12月25日時点のオリジナルよりアーカイブ。2019年12月19日閲覧。
  47. ^ eric.millington (2019年8月26日). 「GlobalFoundries、米国とドイツでTSMCを相手取り特許侵害訴訟を起こす」GlobalFoundries. 2019年8月28日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2019年8月28日閲覧。
  48. ^ 「メディアファクトシート」(PDF) . GlobalFoundries . 2019年8月25日. オリジナル(PDF)から2019年8月28日時点のアーカイブ。 2019年8月28日閲覧。
  49. ^ 「TSMCはGlobalFoundriesからの苦情に対し、自社の独自技術を積極的に擁護する」（プレスリリース）。Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited。2019年8月27日。2019年8月27日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2019年8月28日閲覧。
  50. ^ 「TSMC、技術リーダーシップの維持と世界中の顧客・消費者の保護のため、米国、ドイツ、シンガポールでGlobalFoundriesに対し25件の特許侵害で提訴」（プレスリリース）。Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited。2019年10月1日。2019年10月2日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2019年10月2日閲覧。
  51. ^ 「TSMCとGlobalFoundries、広範なグローバル特許クロスライセンスを通じて世界的な紛争の解決を発表」（プレスリリース）。Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited。2019年10月29日。2019年10月29日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2019年10月29日閲覧。
  52. ^ 「GlobalFoundriesとTSMC、広範なグローバル特許クロスライセンスを通じて世界的な紛争の解決を発表」（プレスリリース）GlobalFoundries. 2019年10月28日. 2019年10月30日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2019年10月30日閲覧。
  53. ^ McGregor, Jim (2019年9月11日). 「GlobalFoundriesがTSMCを提訴 ― 訴訟結果は広範な影響を及ぼす可能性」Forbes . 2019年12月19日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2019年12月19日閲覧。
  54. ^ 「TSMC、米半導体大手GlobalFoundriesを特許侵害で反訴」ロイター2019年10月. 2019年12月19日時点のオリジナルよりアーカイブ。2019年12月19日閲覧– mobile.reuters.com経由。
  55. ^ 「TSMC、GlobalFoundriesをノードプロセスに関する25件の特許侵害で告発」ZDNet . 2019年10月4日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2019年12月19日閲覧。
  56. ^ 「GlobalFoundries、ドイツでのチップ製造拡大に向け10億ユーロの投資を計画」（プレスリリース）。GlobalFoundries。2025年10月28日。
  57. ^ Clark, Don (2011年6月17日). 「Globalfoundriesのトップ幹部が辞任」. Wall Street Journal . 2013年3月10日時点のオリジナルよりアーカイブ。2021年5月22日閲覧– www.wsj.comより。
  58. ^ “Homepage | GLOBALFOUNDRIES”. 2014年1月6日. 2020年10月30日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2020年12月1日閲覧。
  59. ^ “Twitter message”. 2023年1月30日時点のオリジナルよりアーカイブ。2020年12月1日閲覧。
  60. ^ “GlobalFoundries、成長の次の段階を推進するためのリーダーシップの移行を発表”. 2025年2月5日. 2025年2月6日時点のオリジナルよりアーカイブ。2025年2月6日閲覧。
  61. ^ D'Ambrosio, Dan (2015年7月1日). 「GlobalFoundriesがエセックス・ジャンクションを買収」. Burlington Free Press . 2023年8月6日時点のオリジナルよりアーカイブ。2018年3月15日閲覧。エセックス・ジャンクションのロビンソン・パークウェイに広がる製造キャンパス
  62. ^ “300mm Manufacturing”. 2012年7月23日時点のオリジナルよりアーカイブ。2023年5月21日閲覧。
  63. ^ 「SA 30596 (N 101/2010) – DE – LIP- GLOBALFOUNDRIES Group (Fab Booster Investment and Fab 1 Annex), Dresden」(PDF) . europa.eu. 2011年7月13日. 2024年4月30日時点のオリジナルよりアーカイブ(PDF) . 2024年4月30日閲覧。
  64. ^ Kampman, Jeff (2016年9月8日). 「GlobalFoundries、FD-SOIロードマップに12nmノードを追加」TechReport. オリジナルより2021年2月25日時点のアーカイブ。 2016年9月16日閲覧。
  65. ^ 「GlobalFoundries、ドレスデンでの半導体生産に巨額投資を発表」investmentmonitor.ai. 2022年8月15日. 2024年4月30日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2024年4月30日閲覧。
  66. ^ Cantrill, Aggi (2023年9月28日). 「GlobalFoundries、ドレスデン工場に80億ドル投資へ、HBが発表」Bloomberg.com . 2023年9月28日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2024年2月9日閲覧。
  67. ^ 「AMDのGlobalFoundriesがChartered Semiのライバルを買収」theregister.com. 2010年1月14日. 2024年4月30日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2024年4月30日閲覧。
  68. ^ “About Us”. GlobalFoundries . 2016年9月28日. 2009年3月10日時点のオリジナルよりアーカイブ。
  69. ^ Shilov, Anton (2016年10月3日). 「GlobalFoundries Updates Roadmap」. Anandtech. 2021年1月13日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2016年10月3日閲覧。
  70. ^ Kampman, Jeff (2016年9月15日). 「GlobalFoundries、7nm FinFETへの移行で10nmノードをスキップ」TechReport. オリジナルより2021年3月2日時点のアーカイブ。 2016年9月16日閲覧。
  71. ^ 「GlobalFoundries、7nmプロセスの開発を全面的に中止」AnandTech 2019年10月12日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2018年8月28日閲覧。
  72. ^ “米国政府、GlobalFoundriesに対し、ニューヨーク工場での信頼できる半導体製造を認定”. 2023年5月30日. 2023年5月30日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2023年5月30日閲覧。
  73. ^ ab “Jim Doyle”. 2016年1月27日時点のオリジナルよりアーカイブ。2015年8月6日閲覧。
  74. ^ 「ON SemiconductorとGlobalFoundriesが提携し、ニューヨーク州イーストフィッシュキルの300mm工場の所有権を譲渡」。2019年12月22日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2019年4月24日閲覧。
  75. ^ “onsemi、GlobalFoundriesからのニューヨーク州イーストフィッシュキル工場の所有権移転を記念し、リボンカットセレモニーを開催”. 2023年5月31日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2023年5月31日閲覧。
  76. ^ 「GLOBALFOUNDRIES Brief History」. AnySilicon . AnySilicon. 2023年11月1日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2025年11月20日閲覧。
  77. ^ Shilov, Anton (2019年8月15日). “GlobalFoundries Sells Off Photomask Assets to Toppan”. 2020年3月16日時点のオリジナルよりアーカイブ。2020年4月2日閲覧。
  78. ^ Bolaji Ojo、EE Times。「ATICがCharteredを買収し、GlobalFoundriesに統合へ」2009年9月7日アーカイブ。2015年8月10日閲覧。
  79. ^ アレックス・バリンカ、アラン・キング著、ブルームバーグ。「IBM、チップ事業買収のためGlobalFoundriesに15億ドルを支払う」Wayback Machineに2017年4月25日アーカイブ。2014年10月20日。2015年8月10日閲覧。
  80. ^ “Worldwide Locations”. GlobalFoundries . 2016年10月28日. 2017年9月28日時点のオリジナルよりアーカイブ。2017年9月19日閲覧。
  81. ^ ムーアヘッド、パトリック。「ON SemiconductorとGlobalFoundries、Fab 10の4億3000万ドルの取引で両社が勝利」Forbes。2019年6月6日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2019年9月25日閲覧。
  82. ^ 「GlobalFoundriesがIBMを提訴、日本のRapidusに企業秘密が不法に提供されたと主張」CNBC 2023年4月20日。2023年4月26日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2023年4月26日閲覧。
  83. ^ 「GlobalFoundries、Tagore TechnologyのGaN技術を買収し、革新的な電力管理ソリューションを加速」（プレスリリース）。GlobalFoundries。2024年7月1日。
  84. ^ 「GlobalFoundriesがRISC-V CPUを製造、MIPSを買収」Tom's Hardware、2025年。
  85. ^ 「GlobalFoundries、TSMCからGaN技術のライセンスを取得、データセンター、産業、自動車業界向け米国製電源ポートフォリオの拡充を加速」（プレスリリース）。GlobalFoundries。2025年11月10日。
  86. ^ 「GlobalFoundriesがAdvanced Micro Foundryを買収」（プレスリリース）GlobalFoundries. 2025年11月17日.
  87. ^ 「GlobalFoundries、AIデータ接続を高速化へシンガポールのAdvanced Micro Foundryを買収」ロイター、2025年11月18日。
  88. ^ 「GlobalFoundries、AIデータセンター革命を推進するためInfiniLinkを買収」（プレスリリース）GlobalFoundries. 2025年11月25日.
  89. ^ ab STMicroelectronics、GLOBALFOUNDRIES社と提携し、最先端28nmおよび20nm FD-SOI技術の追加調達を確保 "[1] 2023年2月26日アーカイブ、Wayback Machineにて。2020年10月26日閲覧。
  90. ^ ab SamsungとSTMicroelectronics、28nm FD-SOI技術拡大で戦略的契約を締結 "[2] 2020年11月1日アーカイブ、Wayback Machineにて。2020年10月26日閲覧。
  91. ^ abcd GlobalFoundries SiGe PA Technologies [3] Archived 2020-10-30 at the Wayback Machine . 2020年10月26日閲覧。
  92. ^ 「BiCMOS 6HPテクノロジー」 IBMマイクロエレクトロニクスIBM 2016年3月4日時点のオリジナルよりアーカイブ。
  93. ^ abcd GlobalFoundries 130/180nm [4] Archived 2020-01-04 at the Wayback Machine . 2019年12月27日閲覧。
  94. ^ abcd GlobalFoundries RF SOI Technologies "[5] Archived 2019-10-06 at the Wayback Machine ". 2019年12月27日閲覧。
  95. ^ abcde GlobalFoundries SiGe HP Technologies "[6] Archived 2020-10-30 at the Wayback Machine ". 2020年10月26日閲覧。
  96. ^ abcd GlobalFoundries 130G/LP/EE [7] Archived 2021-01-17 at the Wayback Machine . 2020年10月26日閲覧。
  97. ^ Millington, Eric (2023年8月29日). 「GlobalFoundries、次世代モバイルおよび5Gアプリケーション向け9SW RFSOIテクノロジーを発表」. GlobalFoundries .
  98. ^ ab GlobalFoundries Silicon Photonics "[8] Archived 2020-10-29 at the Wayback Machine ". 2020年10月26日閲覧。
  99. ^ abcdef GlobalFoundries 55/65nm [9] Archived 2019-11-02 at the Wayback Machine . 2019年12月27日閲覧。
  100. ^ abc GlobalFoundries AMOLEDディスプレイコントローラー "[10] Archived 2020-10-25 at the Wayback Machine ". 2020年10月26日閲覧。
  101. ^ ab "Technologies > ASICS > GlobalFoundries Technologies". Europractice . Europractice ICサービス. 2023年11月1日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2025年11月20日閲覧。
  102. ^ GlobalFoundries Silicon Photonics: A Marriage of Optical and Digital on GF's RF Process "[11] Archived 2020-10-29 at the Wayback Machine . 2020年10月26日閲覧。
  103. ^ ab GlobalFoundries 40nm "[12] Archived 2019-11-02 at the Wayback Machine ". 2019年12月27日閲覧。
  104. ^ ab GlobalFoundries 28nm HKMG Technologies "[13] Archived 2019-03-30 at the Wayback Machine ". 2019年12月27日閲覧。
  105. ^ abcd GlobalFoundries 22FDX [14] Archived 2019-12-26 at the Wayback Machine . 2019年12月27日閲覧。
  106. ^ GlobalFoundriesが新しい22FDX+プラットフォームを発表 "[15] 2020年10月7日アーカイブ、Wayback Machineにて。 2020年9月25日閲覧。
  107. ^ GlobalFoundries 14LPP [16] Archived 2020-10-29 at the Wayback Machine . 2020年10月26日閲覧。
  108. ^ GlobalFoundries、IBMシステム向けにカスタム14nm FinFETテクノロジーを提供 [17] 2020年1月14日アーカイブ（Wayback Machine）。2020年1月14日閲覧。
  109. ^ GlobalFoundries 12LP 12nm FinFETテクノロジー [18] 2019年11月29日アーカイブ、Wayback Machineにて。2019年12月27日閲覧。
  110. ^ GlobalFoundries、クラウドおよびエッジAIアプリケーション向け12LP+ FinFETソリューションを発表 "[19] 2020年10月27日アーカイブ、Wayback Machineにて。2020年10月26日閲覧。
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