二硫化ハフニウム
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| 名称 | |
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| IUPAC名 二硫化ハフニウム | |
| 識別子 | |
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3Dモデル（JSmol） |
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| ケムスパイダー |
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| ECHA情報カード | 100.038.738 |
PubChem CID |
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CompToxダッシュボード （EPA） |
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| 性質 | |
| HfS 2 | |
| モル質量 | 246.62 g/mol [1] |
| 外観 | 赤/茶色の固体 |
| 密度 | 6.03 g/cm 3 [1] |
| バンドギャップ | ~1.8 eV（間接）[2] |
| 構造 | |
| hP3、P3m1、No.164 [ 3 ] | |
a = 0.363 nm、c = 0.584 nm | |
数式単位（Z） | 1 |
| 関連化合物 | |
その他の陰イオン | 二酸化ハフニウム |
その他の陽イオン | 二硫化タングステン 二硫化モリブデン |
特に記載がない限り、データは標準状態（25 °C [77 °F]、100 kPa）における材料のものです。 | |
二硫化ハフニウムは、ハフニウムと硫黄からなる無機化合物です。化学式HfS 2の層状ジカルコゲニドです。この物質は、標準的なスコッチテープ法（グラフェン参照）を用いて数原子層剥離することができ、電界効果トランジスタの製造に用いられます。[4]液相剥離法を用いた高収率HfS 2合成も実証されており、安定した数層HfS 2フレークが得られます。[5]二硫化ハフニウム粉末は、硫化水素と酸化ハフニウムを500～1300℃で反応させることで製造できます。 [6]
参考文献
- ^ ab Haynes, William M. 編 (2011). CRC Handbook of Chemistry and Physics (92nd ed.). Boca Raton, Florida: CRC Press . p. 4.66. ISBN 1-4398-5511-0.
- ^ 寺島 憲; 今井 郁 (1987). 「ZrS 2および HfS 2の間接吸収端」. Solid State Communications . 63 (4): 315. Bibcode :1987SSCom..63..315T. doi :10.1016/0038-1098(87)90916-1
- ^ Hodul, David T.; Stacy, Angelica M. (1984). 「金属-絶縁体転移近傍におけるHf(S 2−x Te x ) 1-yとHf(Se 2−x Te x ) 1-yの特性の異常」. Journal of Solid State Chemistry . 54 (3): 438. Bibcode :1984JSSCh..54..438H. doi :10.1016/0022-4596(84)90176-2.
- ^ 金沢徹;雨宮智宏；石川 淳;ウパディヤーヤ、ヴィクラント。鶴田健二田中拓夫；宮本康之 (2016) 「数層HfS2トランジスタ」。科学的報告書。6 22277。Bibcode :2016NatSR...622277K。土井：10.1038/srep22277。PMC 4772098。PMID 26926098。
- ^ Kaur, Harneet (2017). 「二次元層状二硫化ハフニウムの高収率合成と化学的剥離」Nano Research . arXiv : 1611.00895 . doi :10.1007/s12274-017-1636-x. S2CID 99414438.
- ^ Kaminskii, BT; Prokof'eva, GN; Plygunov, AS; Galitskii, PA (1973-07-01). 「ジルコニウムおよびハフニウム硫化物粉末の製造」.ソビエト粉末冶金および金属セラミックス. 12 (7): 521– 524. doi :10.1007/BF00796747. S2CID 95277086.
