ショックレーダイオード
| コンポーネントタイプ | アクティブ |
|---|---|
| 初生産 | 1950年代 |
| 初生産 | ショックレー半導体研究所 |
| ピン名 | 陽極と陰極 |
| 電子シンボル | |
 | |
ショックレー・ダイオード（ウィリアム・ショックレーにちなんで名付けられた）は、4層半導体ダイオードである。P型とN型の材料が交互に積層されたPNPNダイオードであり、ゲートが切断されたサイリスタと同等である。ショックレー・ダイオードは、1950年代後半にショックレー半導体研究所によって製造・販売された。ショックレー・ダイオードは負性抵抗特性を有する。[ 1 ]その後、 DIACに大きく取って代わられた。
働く
他の半導体ダイオードとは異なり、ショックレーダイオードは複数のp-n接合を有します。その構造は、PNPNパターンでアノードとカソードの間に交互に配置された4つの半導体セクションで構成されています。複数の接合を有していますが、2端子デバイスであるためダイオードと呼ばれます。
ショックレー・ダイオードは、端子間にトリガー電圧を超える電圧が印加されるまで、非常に高い抵抗値でオフ状態を維持します。電圧がトリガー値を超えると、抵抗値は極めて低い値に低下し、デバイスはオン状態になります。構成トランジスタは、オン状態とオフ状態の維持に役立ちます。構造はPNP型とNPN型の相互接続されたバイポーラトランジスタのペアに似ているため、ベース・エミッタ接合に電流が流れていないため、一方のトランジスタがオンになるまで、もう一方のトランジスタはオン状態になりません。十分な電圧が印加され、一方のトランジスタが破壊されると、そのトランジスタが導通を開始し、もう一方のトランジスタにベース電流が流れます。その結果、両方のトランジスタが飽和し、両方ともオン状態を維持します。
電圧を十分に低いレベルまで下げると、流れる電流がトランジスタのバイアスを維持するのに不十分になります。電流不足により、トランジスタの1つがカットオフし、もう1つのトランジスタへのベース電流が遮断されます。これにより、両方のトランジスタがオフ状態のままになります。
用途
一般的な用途:
- シリコン制御整流器用トリガースイッチ
- 緩和発振器/ のこぎり波発振器
ニッチなアプリケーション:
標準値
| 説明 | 範囲[ 4 ] | 通常 |
|---|---|---|
| 前進作戦 | ||
| スイッチング電圧V s | 10V～250V | 50V±4V |
| 保持電圧 V h | 0.5V～2V | 0.8V |
| スイッチング電流I s | 数μAから数mA | 120μA |
| 保持電流 I H | 1～50mA | 14～45mA |
| 逆操作 | ||
| 逆電流 I R | 15μA | |
| 逆破壊電圧 V rb | 10V～250V | 60V |
ダイニスター
小信号ショックレーダイオードは現在製造されていませんが、単方向サイリスタブレークオーバーダイオード（ダイニスタとも呼ばれる）は機能的に同等の電力デバイスです。ダイニスタに関する初期の出版物は1958年に出版されました。[ 5 ] 1988年には、シリコンカーバイドを使用した最初のダイニスタが製造されました。[ 6 ]ダイニスタは、マイクロ秒およびナノ秒電力パルス発生器のスイッチとして使用できます。[ 7 ]
参考文献
- マイケル・リオーダン、リリアン・ホッデソン著『クリスタル・ファイア：トランジスタの発明と情報化時代の誕生』ニューヨーク：ノートン（1997年）ISBN 0-393-31851-6pbk。
- ^ 「トランジスタ博物館フォトギャラリー ショックレーダイオード 4層トランジスタ」 . semiconductormuseum.com . 2019年4月9日閲覧。
- ^ 「トランジスタ博物館写真ギャラリー ショックレーダイオードトランジスタ 4層」 . semiconductormuseum.com . 2019年4月9日閲覧。
- ^ 「Hi-Fiアンプにダイオードだけ」 2007年2月21日。2007年2月21日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2019年4月9日閲覧。
- ^ Willfried Schurig (1971)、アマチュア電子工学: Kennlinien elektronischer Bauelemente。 Teil II: Halbleiter Diden (ドイツ語)、ベルリン: Deutscher Militärverlag、p. 119
- ^ Pittman, P. (1958年春).ダイニスタダイオードのオフオンコントローラへの応用. 1958 IEEE国際固体回路会議. 技術論文ダイジェスト. 第I巻. pp. 55– 56. doi : 10.1109/ISSCC.1958.1155602 .
- ^チェルノコフ、VE;ヴァインシュタイン、SN;メイン州レビンシュタイン。バージニア州ドミトリエフ (1988-08-04)。 「初代SiCディニスター」。エレクトロニクスレター。24 (16): 1031–1033。ビブコード: 1988ElL....24.1031D。土井: 10.1049/el:19880702。ISSN 1350-911X。
- ^ Aristov, Yu.V.; Grekhov, IV ; Korotkov, SV; Lyublinsky, AG (2008年9月22日～26日). 「マイクロ秒およびナノ秒電力パルス発生器用ダイナスタスイッチ」 . Acta Physica Polonica A. 115 ( 6). 第2回ユーロアジアパルス電力会議議事録, リトアニア・ビリニュス, 2008年9月22日～26日: 1031～ 1033. doi : 10.12693/APhysPolA.115.1031 .
外部リンク
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