ヒ素ゲルマニウム酸
ヒ素ゲルマニウム酸塩は、ヒ素がゲルマニウムに結合した陰イオンを含む化合物です。これらは、テトラルセニド、ニクチドゲルマニウム酸塩、またはテトラルプニクチドに分類されます。
ゲルマニウムはGeAsとGeAs2の2つのヒ化物を形成します。[ 1 ]
リスト
| 名前 | 式 | 式 重さ | 結晶 システム | 空間 グループ | 単位格子 | 音量 | 密度 | コメント | 参照 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LiGe 3 As 3 | 斜方晶系 | Pbam | a=10.0862 b=15.7612 c=3.7403 Z=4 | 594.60 | 5.01 | [ 2 ] | |||
| リチウム5 GeAs 3 | 黒 | [ 3 ] | |||||||
| NaGe 6 As 6 | 908.05 | 単斜晶系 | C 2/ m | a = 22.063、b = 3.8032、c = 7.2020、β = 92.744°、Z = 2 | 603.64 | 5.00 | 針 | [ 4 ] | |
| ナトリウム10ゲルマニウム2ヒ素6 | 単斜晶系 | P 12 1 / n 1 | a=13.531 b=7.544 c=8.298 β = 90.2° Z=2 | 847.0 | [ 5 ] | ||||
| K 2 GeAs 2 | 斜方晶系 | イバム | a = 13.292、b = 7.028、c = 6.548 、Z = 4 | 湿気に敏感な針 | [ 6 ] | ||||
| KGe 3 As 3 | 481.53 | 斜方晶系 | プンマ | a =9.993、b =3.7664、c =18.607 Z=4 | 700.34 | 4.568 | [ 7 ] | ||
| K 2 Ge 3 As 3 | 520.73 | 斜方晶系 | プンム | a=14.1466 b=16.300 c=3.7489 Z=4 | 864.47 | 4.001 | 繊維状金属 | [ 8 ] | |
| K 2 NaGaAs 2 | イバム | a=6.733 b=14.809 c=6.574 Z=4 | 655.5 | 3.250 | [ 9 ] | ||||
| KCdGeAs 2 | 三斜晶系 | P1 | a = 8.004、b = 8.402、c = 8.703、α = 71.019°、β = 75.257°、γ = 73.746°、Z=4 | バンドギャップ 0.8 eV; Ge 2 As 6ユニット | [ 10 ] | ||||
| RbCdGeAs 2 | 三斜晶系 | P1 | a = 8.269、b = 8.452、c = 8.735、α = 71.163°、β = 75.601°、γ = 73.673°、Z=4 | Ge 2 As 6単位 | [ 10 ] | ||||
| Sr 3 Ge 2 As 4 | 赤色金属; 1D As 3 GeGeAs 3ユニット | [ 11 ] | |||||||
| K 5 In 5 Ge 5 As 14 | 単斜晶系 | C 2/ m | a =40.00、b =3.925、c =10.299、β =99.97°、Z=8 | 1592 | 4.55 | 空気に敏感; 層状 | [ 12 ] | ||
| K 8 In 8 Ge 5 As 17 | 単斜晶系 | P 2 1 / c | a =18.394、b =19.087、c =25.360、β =105.71°、Z=4 | 8571 | 4.45 | 空気に敏感; 層状 | [ 12 ] | ||
| RbGe 3 As 3 | 528 | 斜方晶系 | プンマ | a=10.166 b=3.7595 c=19.028 Z=4 | 727.2 | 4.823 | [ 7 ] | ||
| Rb(Ge 1.5 In 0.5 )As 2 (As 1.5 Ge 0.5 ) | 斜方晶系 | Cmc 2 1 | a = 3.799、b = 16.50、c = 12.24、Z = 4 | 767 | 4.589 | [ 13 ] | |||
| Rb X Ge 2−X In X As 4 | [ 13 ] | ||||||||
| 1 8アス21創世記25 | 4403 | キュービック | 午後3時 | a=10.5963 Z=1 | 1189.8 | 6.1431 | 無色 | [ 14 ] | |
| Cs 5 GeAs 3 | 金属性; 空気中で不安定; GeAs 3単位 | [ 15 ] | |||||||
| ベージ2 As 2 | 正方晶系 | P 4 2 mc | a=7,786 c=8.664 Z=4 | 525.2 | 5.47 | メタリック | [ 16 ] | ||
| Ba 4 GeAs 4 | ダークメタリック; GeAs 4ユニット | [ 17 ] | |||||||
| レ3ゲ0.6アス6.4 | [ 18 ] | ||||||||
| 再3章6節 | 1080.75 | キュービック | 私は3ヶ月です | a = 8.73202 Z=4 | 665.75 | 10.78 | n型半導体 | [ 18 ] | |
| オージェアス | 単斜晶系 | CC | a 7.2729、b 6.2953、c 6.3067、β 119.209° | [ 19 ] | |||||
| K X Ge 2−X Tl X As 4 | [ 13 ] |
参考文献
- ^シュテア、ヘルベルト;クレム、ヴィルヘルム (1940-07-09)。「ゲルマニウムを組み合わせたユーバー・ツヴァイストフシステム。II. ゲルマニウム/アーセン、ゲルマニウム/アンチモン、ゲルマニウム/ウィスムット」。有機体と化学の研究。244 (2): 205–223 .土井: 10.1002/zaac.19402440211。
- ^ Mark, Justin; Hanrahan, Michael P.; Woo, Katherine E.; Lee, Shannon; Rossini, Aaron J.; Kovnir, Kirill (2019年5月2日). 「ファンデルワールス四ヒ素化合物の化学的および電気化学的リチウム化」 . Chemistry – A European Journal . 25 (25): 6392– 6401. doi : 10.1002/chem.201900339 . OSTI 1526289. PMID 30887569. S2CID 83463348 .
- ^ジュザ、ロバート;シュルツ、ヴェルナー (1954 年 2 月)。「第 3 グループと第 4 グループのリチウムを含むリンとヒ素のテルネール」。Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie (ドイツ語)。275 ( 1–3 ): 65–78 .土井: 10.1002/zaac.19542750107。ISSN 0044-2313。
- ^マンスラ、カトゥーン;マー、アーサー (2016-05-01)。「NaGe 6 As 6 : 層状半導体ゲルマニウムヒ素 GeAs へのナトリウムの挿入」。Zeitschrift für Naturforschung B . 71 (5): 375–380。土井: 10.1515/znb-2015-0203。ISSN 1865-7117。S2CID 197298002。
- ^アイゼンマン、B.;クライン、J.サマー、M. (1991-02-01)。アイゼンマン、B.クライン、J.サマー、M. (編)。 「十ナトリウム ジ-μ-アルセニド-ビス(ジアルセニドゲルマネート)、Na 10 Ge 2 As 6の結晶構造」。Zeitschrift für Kristallographie - 結晶材料。197 ( 3–4 ): 265–266。Bibcode : 1991ZK....197..265E。土井:10.1524/zkri.1991.197.3-4.265。ISSN 2194-4946。
- ^アイゼンマン、ブリギット;クライン、ユルゲン(1991年9月)。 「 Alkaliverbindungen におけるSiS 2 -イソ構造アニオネン [SiP 2 2- ]、[GeAs 2 2- ] および [SnAs 2 2- ]」 。Journal of the Less Common Metals (ドイツ語)。175 (1): 109–117。土井: 10.1016/0022-5088(91)90355-8。
- ^ a bマンスラ、ハトゥーン;ストイコ、スタニスラフ S.マー、アーサー(2016 年 6 月)。 「層状構造を有する三元ヒ素 ATt 3 As 3 (A=K、Rb; Tt=Ge、Sn)」。固体化学ジャーナル。238 : 229–235。Bibcode : 2016JSSCh.238..229K。土井:10.1016/j.jssc.2016.03.035。
- ^ Eulenstein, Armin R.; Bogdanovski, Dimitri; Reinhardt, Hendrik; Miß, Vanessa; Roling, Bernhard; Hampp, Norbert; Dronskowski, Richard; Dehnen, Stefanie (2019年11月12日). "K 2 Ge 3 As 3 :一次元サブ構造∞ 1 {(Ge 3 As 3 ) 2– } を持つ狭バンドギャップZintl相の繊維状結晶". Chemistry of Materials . 31 (21): 8839– 8849. doi : 10.1021/acs.chemmater.9b02827 . S2CID 204116281 .
- ^メフメット・サマール;ピーターズ、カール。フォン・シュネリング、ハンス・ゲオルク(1992年7月)。「K 2 NaGaP 2、Cs 2 NaGaP 2、K 2 NaGaAs 2、K 2 NaInP 2および K 2 NaInAs 2、SiS 2 -イソステレンポリアニオンを含むVerbindungen 」∞ 1[MX 4/2 ] 3− (M=Ga, In; X=P, As)" . Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie (ドイツ語). 613 (7): 19–25 . doi : 10.1002/zaac.19926130103 . ISSN 0044-2313。
- ^ a b Khatun, Mansura; Stoyko, Stanislav S.; Mar, Arthur (2014年7月21日). 「エタン類似Ge 2 As 6ユニットからなる第四級ヒ素化合物A CdGeAs 2 ( A = K, Rb) 」.無機化学. 53 (14): 7756– 7762. doi : 10.1021/ic5011264 . PMID 24983676 .
- ^アイゼンマン、ブリギット;ヘルベルト・シェーファー(1980年6月)。 「複雑なアニオンを含む亜鉛相:Sr 3 Si 2 As 4および Sr 3 Ge 2 As 4」。英語版のAngewandte Chemie国際版。19 (6): 490–491 .土井: 10.1002/anie.198004901。
- ^ a b Shreeve-Keyer, Julie L; Haushalter, Robert C; Lee, Young-Sook; Li, Sichu; O'Connor, Charles J; Seo, Dong-Kyun; Whangbo, Myung-Hwan (1997年5月). 「K–In–Ge–As系における新規層状物質:K 8 In 8 Ge 5 As 17および K 5 In 5 Ge 5 As 14」. Journal of Solid State Chemistry . 130 (2): 234– 249. Bibcode : 1997JSSCh.130..234S . doi : 10.1006/jssc.1996.7210 .
- ^ a b c Shreeve-Keyer, Julie L.; Haushalter, Robert C. (1996), Kajimura, Koji; Kuroda, Shin-ichi (eds.), "Synthesis and Structural Characterization of a Quaternary Zintl Phase Material from the Rb:Ge:In:As System: Rb(Ge1.5ln0.5)As2(As1.5Ge0.5)" , Materials and Measurements in Molecular Electronics , Springer Proceedings in Physics, vol. 81, Tokyo: Springer Japan, pp. 139– 150, doi : 10.1007/978-4-431-68470-1_11 , ISBN 978-4-431-68472-5、 2021年12月8日取得
{{citation}}: CS1 maint: ISBNによる作業パラメータ(リンク) - ^ Ayouz, Katia; Kars, Mohammed; Rebbah, Allaoua; Rebbah, Houria (2009年3月15日). 「I 8 As 21 Ge 25」 . Acta Crystallographica Section E. 65 ( 3): i15. doi : 10.1107/ S1600536809004991 . PMC 2968696. PMID 21582033 .
- ^アイゼンマン、ブリギット;クライン、ユルゲン。ソマー、メフメット (1990 年 1 月)。 「 Cs 5 SiP 3、Cs 5 SiAs 3、Cs 5 GeP 3、および Cs 5 GeAs 3中の CO 3 2-と等配性のアニオン」。英語版のAngewandte Chemie国際版。29 (1): 87–88 .土井: 10.1002/anie.199000871。
- ^アイゼンマン、ブリギット;ヘルベルト・シェーファー(1981-04-01)。「陰イオンを含む亜鉛相: Zur Kenntnis von BaGe 2 P 2および BaGe 2 As 2 / バイナリ陰イオンによる Zintl 相: BaGe 2 P 2および BaGe 2 As 2」。Zeitschrift für Naturforschung B . 36 (4): 415–419。土井: 10.1515/znb-1981-0403。ISSN 1865-7117。S2CID 95993285。
- ^アイゼンマン、ブリギット;ジョーダン、ハンナ。ヘルベルト・シェーファー(1981年2月)。 「Ba 4 SiAs 4およびBa 4 GeAs 4 、孤立したSiAs 4 8-アニオンおよびGeAs 4 8-アニオンを含むZintl相」。英語版のAngewandte Chemie国際版。20 (2): 197–198。土井: 10.1002/anie.198101972。
- ^ a b Soheilnia, Navid; Xu, Hong; Zhang, Huqin; Tritt, Terry M.; Swainson, Ian; Kleinke, Holger (2007年8月1日). 「Re 3 Ge 0.6 As 6.4およびRe 3 GeAs 6の熱電特性とMo 3 Sb 5.4 Te 1.6との比較」.材料化学. 19 (16): 4063– 4068. doi : 10.1021/cm0708517 .
- ^ Lee, Shannon J.; Won, Juyeon; Wang, Lin‐Lin; Jing, Dapeng; Harmer, Colin P.; Mark, Justin; Akopov, Georgiy; Kovnir, Kirill (2021年5月6日). 「特異な結合を持つ平面四角形金(I)からなる新規非中心対称四価ニクタイド」 . Chemistry – A European Journal . 27 (26): 7383– 7390. doi : 10.1002/ chem.202005312 . PMC 8251799. PMID 33523500 .