酸化イットリウム(II)
| 名前 | |
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その他の名前
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| 識別子 | |
3Dモデル(JSmol) | |
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| プロパティ | |
| よ | |
| モル質量 | 104.9 g/モル |
| 外観 | ダークブラウンの無地 |
| 構造 | |
| 正方晶 | |
| 関連化合物 | |
関連化合物 | 酸化イットリウム(III) |
特に記載がない限り、データは標準状態(25 °C [77 °F]、100 kPa)における材料のものです。 | |
酸化イットリウム(II)または一酸化イットリウムは、化学式Y2Oで表される化合物です。この化合物は、350℃で酸化イットリウム(III)をターゲットとしてパルスレーザー蒸着法によって初めて固体の形で生成されました。この膜は、クリプトン一フッ化物レーザーを用いてフッ化カルシウム上に堆積されました。その結果、厚さ200nmの一酸化イットリウムの薄膜が得られました。[ 1 ]
参考文献
- ^神永健一;清涼介;林宏一;八方直久;田尻裕雄;岡大地;譜久村智輝;長谷川哲也(2016)。 「二価の希土類酸化物半導体:一酸化イットリウム」。応用物理学。しましょう。108 (122102)。応用物理学レター: 122102。Bibcode : 2016ApPhL.108l2102K。土井: 10.1063/1.4944330。
| イットリウム(II) | |||
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| イットリウム(III) |
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